Fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP: Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à ... InP destinés aux communications optiques
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UNIV EUROPEENNE Fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP: Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à ... InP destinés aux communications optiques : prix et avis

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Caractéristiques clés

Caractéristiques techniques
Dimensions
pouces × Width × fr_FR × 0.52 × pouces × Height × fr_FR × 8.66 × pouces × Length × fr_FR × 5.91 × Livres × Weight × fr_FR × 0.85

Informations produit

Marque
UNIV EUROPEENNE
Fabricant
Editions universitaires europeennes
Dimensions
pouces × Width × fr_FR × 0.52 × pouces × Height × fr_FR × 8.66 × pouces × Length × fr_FR × 5.91 × Livres × Weight × fr_FR × 0.85
Identifiants
ASIN
6131513058
EAN
9786131513053
ISBN
6131513058

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